Cerâmicas de Sr1-xBaxNb2O6, "puras" e dopadas com óxidos de terras raras, foram preparadas com o objetivo de estudar o seu comportamento dielétrico em função da adição desses dopantes. As amostras foram caracterizadas através de medidas dielétricas efetuadas em função da temperatura (30 K a 500 K) e da freqüência (1 kHz a 1 MHz). Em todas as amostras estudadas verifica-se a presença de dois processos distintos de relaxação dielétrica. O primeiro processo é observado a temperaturas inferiores a 100 K. O segundo processo é observado próximo a temperatura ambiente, onde a constante dielétrica apresenta seu maior valor. Observou-se que a adição de dopantes causa efeitos distintos nas temperaturas de máximo das constantes dielétricas nas duas regiões de relaxação dielétrica.

Ceramics of SBN, undoped and doped with rare earth oxides, were prepared to the study of the influence of the doping on the dielectric properties. The samples were characterised through dielectric measurements as a function of temperature (30 K to 500 K) and frequency (1 kHz to 1 MHz). In all samples two distinct dielectric relaxation processes were observed. The first one at temperatures below 100 K; the second one is near room temperature, where the dielectric constant is maximum. The doping causes distinct effects in the maximum temperatures of the dielectric constants in the two dielectric relaxation regions.